الشكل (1) يعرض دائرة برمجة الذاكرة PROM طراز 74188 ، والتي سعتها Bit 256 وتكون على النظم التالي :( 8x (32 .....
الشكل (1)
عناصر الدائرة:
R1-R13 مقاومات كربونية Ω k 3.9.
R14 مقاومة كربونية 22Ω .
C1,C2 مكثف کیمیائی μf 470 وجهده V 16.
D1, D2 ثنائيات سليكونية طراز 1N4002
ZD1 ثنائی زینر جهده 6.8 .
IC1 دائرة متكاملة لذاكرة PROM طراز 745188.
13S -S1 مفاتيح قطب واحد سكة واحدة.
PB1 ضاغط بريشتين إحداهما مفتوحة NO والأخرى مغلقة NC
PB2 ضاغط بريشة مفتوحة NO.
Q1ترانزستور NPN طراز 241 BD.
نظرية التشغيل:
في البداية يتم الضغط على الضاغط B للحظة، لشحن المكثف C1، وبعد ذلك يتم ضبط عنوان الكلمة المطلوب إدخالها بواسطة المفاتيح 13S: S9 .
فعند غلق المفتاح تصبح حالة إشارة الدخل عالية، والعكس بالعكس، فمثلاً: عند إدخال كلمة عنوانها 5 فإنه يتم غلق المفاتيح 11 والجدول (1) يبين المكافئ العشري لمفاتيح العنوان.
والجدول (1)
وتتميز الذاكرة 74188 بأن الحالة المبدئية لجميع خلاياها منخفضة، فعند إدخال الكلمة MSB (10101001) LSB فإنه يجب غلق المفاتيح 2 Sو S3 و5S وS7 وبعد التأكد من صحة العنوان وصحة البيانات يتم الضغط على الضاغط PB لحظياً ، فيصبح الجهد عند الرجل Vcc للدائرة المتكاملة IC1 مساوياً جهد المكثف C1 ، والذى يساوى تقريبا V 10.5 في هذه الحالة فإن ثنائي الزينر ZD1 سوف يتحول لحالة الوصل ، ويصبح جهد قاعدة الترانزستور 21 مساوياً تقريباً. (V6.8 - 10.5) أي: V 3.7، فيتحول الترانزستور Q1 لحالة الوصل ويقوم بتوصيل مدخل التمكين CE للمتكاملة بالأرضى، وفى نفس الوقت يفرغ المكثف C1 شحنته في المقاومة R14، وبعد زمن يساوى ثابت الزمن لدائرة RC، والتي تساوي R14C1=10 ms فإن المكثف يكون قد فرغ شحنته، وتكون عملية البرمجة قد انتهت لهذه الكلمة.
والجدير بالذكر أن 2C له نفس سعة C1، ويقوم بالمحافظة على جهد مداخل البيانات، ومدخل التمكين أثناء انقطاع التيار القادم من المصدر الكهربي عنهم، كما يقوم الثنائي السليكونى 1D بمنع تفريغ شحنة المكثف1C عبر الترانزستور 1Q أثناء تحوله لحالة الوصل.
وفي الوضع الطبيعي يقوم بتخفيض جهد المصدر إلى 5.25 في حين يقوم D1 بتحفيض جهد المداخل إلى 4.57 تقريباً؛ لأن جهد الدخل يجب ألا يتعدى V 5 +، وحيث إن عملية البرمجة تتم في 10 ms أي أنه بعد إزالة الضغط عن الضاغط PB تكون عملية البرمجة قد انتهت ، ويمكن تكرار عملية البرمجة 32 مرة لبرمجة جميع محتويات الذاكرة PROM طراز S18874.
ونحب أن نلفت نظر القارئ إلى أن عملية البرمجة تختلف من ذاكرة PROM لأخرى تبعاً لنوعية المخارج ، فبالنسبة لذاكرة PROM طراز S18874 فإنها ذات مجمعات مفتوحة - Open Collector ، وهناك أنواع أخرى من الذاكرات لها مخارج ثلاثية الحالة Tristate وبالطبع لها طريقة أخرى في البرمجة ، وعلى كل حال يمكن معرفة طريقة البرمجة من تعليمات الشركات المصنعة
والجدير بالذكر أن ذاكرات PROM يقل استخدامها ؛ نظراً لأنها غير قابلة للتمسح ، فلا يمكن تغيير محتوياتها بعد برمجتها ، لذلك فإن ذاکرات EPROM تتفوق عليها في هذا الجانب.
